Фотоэлектрический датчик Sick GRTE18S-P1112V предназначен для точного и надёжного обнаружения объектов в автоматизированных и промышленных системах. Устройство использует технологию диффузного отражения, позволяющую эффективно фиксировать объекты без применения внешнего отражателя. Данная модель оптимальна для эксплуатации на производственных линиях, в упаковочных системах и сборочных процессах, где критичны стабильность и точность работы.
Технические характеристики:
- Тип устройства: фотоэлектрический датчик
- Модель: GRTE18S-P1112V
- Принцип действия: диффузное отражение (без отражателя)
- Дальность обнаружения: до 1,1 м
- Выходной сигнал: PNP, нормально открытый (NO), совместим с большинством промышленных контроллеров
- Напряжение питания: 10–30 В DC
- Корпус: цилиндрический, диаметр 18 мм, выполнен из нержавеющей стали, устойчив к агрессивным условиям
- Подключение: разъём M12
- Индикация: встроенный светодиодный индикатор состояния
- Температурный диапазон: от –25°C до +55°C
- Степень защиты: IP67 (полная защита от пыли и водяных струй)
- Области применения: производственные и упаковочные линии, конвейеры, сборочные участки, автоматизированные процессы
Sick GRTE18S-P1112V обеспечивает надёжную работу в сложных условиях эксплуатации и отвечает требованиям промышленной автоматизации по точности, устойчивости и долговечности.
Отзывы
Отзывов пока нет.